A Samsung lançou seus primeiros módulos de memória RAM DDR4, a geração que veio por sua vez substituir as DDR3. Fabricados sob processo de manufatura de 30 nanômetros, os novos chips oferecem melhorias significativas na eficiência energética e performance em geral.

Atingindo velocidades de transferência de dados de até 2,133 Gigabits por segundo a 1.2 Volts, a nova arquitetura de circuito será capaz de chegar a 3,2 Gbps em tensões maiores. O desempenho se compara aos módulos DDR3 de 30 nm, que chegam a 1,6 Gbps a 1,35 Volts ou 1,5 Volts. Quando usada em notebooks, os módulos DDR4 oferecem redução em 40% no consumo de energia, se comparados a um DDR3 de 1,5 Volts.

A empresa já distribuiu módulos DDR4 de 2 GB para um fabricante, para fins de testes. Entretanto, o cronograma para a produção em massa ainda não foi anunciado.

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